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    G-31B4型高精密雙面光刻機

    一、主要用途主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。二、主要…

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    G-31B4型高精密光刻機


    產品介紹:

    設備概述

    本設備廣泛用于各大、中、小型企業、大專院校、科研單位,它主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路、電力電子器件的研制和生產。

    主要構成 本設備為板板對準雙面曝光CCD顯微顯示系統、二臺高均勻性曝光頭、Z軸升降機構、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺等組成。


    1.適用范圍廣
    適用于φ100mm以下、厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光,雙面可同時曝光,亦可用于單面曝光。

    2.結構穩定
    Z
    軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構,真空吸版,防粘片機構。

    3.操作簡便
    X\Y
    移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式;
    吸版、反吹采用按鈕方式,操作、調試、維護、修理都非常簡便。 4. 可靠性高

    精密的機械零件,使本機運行具有非常高的可靠性。
     
      除標準承片臺外,還可以為用戶定制專用承片臺,來解決非圓形基片、碎片和底面

    曝光類型:版
    曝光面積:≤±3%
    曝光強度:
    曝光分辨率:2GCQ350W型**壓直流球形汞燈高均勻性曝光頭

    對準范圍:2μm

    Q向旋轉調節

    CCD系統,物鏡10X,計算機圖像處理系統,
    掩模版尺寸:能真空吸附4"方形掩板,對版的厚度無特殊要求(13mm皆可)。

    <span style="line-height:150%;font-family:;" "=""> 基片尺寸:適用于Φ3"mm圓形基片(或3"×3"mm方形基片),基片厚度≤5mm。

    【全文完】

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